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纳米压印芯片光刻机

简要描述:

纳米压印芯片光刻机,由于本机找平机构先进,找平力小、使本机不仅适合单晶硅片、玻璃片、陶瓷片、铜片、不锈钢片、宝石片的曝光,而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片、的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。

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   纳米压印芯片光刻机本机统针对各大专院校、企业及科研单位,对光刻机使用特性研发的一种高精度光刻系统。

  公司产品涵盖金属材料检测与非金属材料检测,品种达一百多个。土木工程类高校用到的:大型多功能结构试验系统、岩土工程试验系统、自平衡反力架、力学模型试验系统、电液伺服疲劳系统、高温高压应力腐蚀试验系统、千斤顶检定装置等。另有全系列产品:电子wanneng试验机系列;液压wanneng试验机系列;压力试验机系列;扭转试验机;弹簧试验机;冲击试验机、摩擦磨损试验机、钢绞线锚固松弛试验机;电缆绳索卧式拉力机系列;动静疲劳试验机系列、橡胶支座压剪试验机系列;大吨位力学加载压力机;飞机起落架检测系列;绝缘子检测系列;特殊定制大型试验系统。国家电网:风电叶片疲劳加载综合测试系统、风电机组叶片疲劳加载综合测试系统、风电叶片双轴疲劳加载系统、风电叶片面向旋转疲劳加载系统、风电叶片两点疲劳加载系统等

一、纳米压印芯片光刻机主要用途

⒈ 本机针对各大专院校、企业及科研单位,对光刻机使用特性研发的一种高精度光刻机。

⒉ 由于本机找平机构先进,找平力小、使本机不仅适合单晶硅片、玻璃片、陶瓷片、铜片、不锈钢片、宝石片的曝光,而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片、的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。

3.工作方式 :本机为单面对准、单面曝光。

二、技术参数

1.曝光时间调解器:0.1至999.9秒(可调节精度0.1s);

2.365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环;

3.声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标;

4.有安全保护装置的温度及其气流传感器;

5.全景准直透镜光线偏差半角:<1.84度;

6.波长滤片检查及安装装置;

7.抗衍射反射功能高效反光镜;

8.二向色的防热透镜装置;

9.防汞灯泄漏装置;

10.配备蝇眼棱镜装置;

11.配备近紫外(或深紫外)光源

12.主要配置:6“,8"光源系统,

13.手动系统,半自动系统。

14..CCD或显微镜对准系统。

15.接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV):0.5 um。

16.支持背后对准及MEMS工艺要求。

17.主要性能指标:光强均匀性Beam Uniformity:--<±1% over 2"。区域,--<±2% over 4"区域,--<±3% over 6"区域。

三、主要构成:主要由高精度对准工作台、双目分离视场显微镜显示系统、曝光头、气动系统、真空管路系统、直联式无油真空泵、防震工作台和附件等组成。

四、主要功能特点

1.适用范围广:适用于Φ100mm以下,厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。

2.结构先进:具有半球式找平机构和可实现真空硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构。

3.操作简便:采用翻板方式取片、放片;按钮、按键方式操作,可实现真空吸版、吸片、吸浮球、吸扫描锁等功能,操作、调试、维护、修理都非常简便。

4.特设“碎片"处理功能:解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。


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